旁栅阈值电压与旁栅距的关系研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 丁勇 ; 毛友德 ; 夏冠群 ; 赵建龙 |
| 刊名 | 固体电子学研究与进展
 |
| 出版日期 | 2001 |
| 期号 | 03 |
| 关键词 | K1 旁栅效应 旁栅距 碰撞电离 |
| ISSN号 | 1000-3819 |
| 其他题名 | T1 旁栅阈值电压与旁栅距的关系研究 |
| 中文摘要 | 旁栅效应是制约 Ga As器件及电路性能的有害寄生效应。文中理论推导并实验研究了旁栅阈值电压 Vth SG与旁栅距 LSG的关系 ,发现 Vth SG与 LSG成正比关系。这一结论对数字电路设计具有重要指导意义 ,在设计电路版图时可根据电路的逻辑电平摆幅 VSW选择器件之间的最小距离 L |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104639]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 丁勇,毛友德,夏冠群,等. 旁栅阈值电压与旁栅距的关系研究[J]. 固体电子学研究与进展,2001(03). |
| APA | 丁勇,毛友德,夏冠群,&赵建龙.(2001).旁栅阈值电压与旁栅距的关系研究.固体电子学研究与进展(03). |
| MLA | 丁勇,et al."旁栅阈值电压与旁栅距的关系研究".固体电子学研究与进展 .03(2001). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。