偏铌酸铅陶瓷低频内耗的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 贺连星 ; 李承恩 ; 陈廷国 ; 刘卫 ; 朱震刚 ; 水嘉鹏 |
| 刊名 | 无机材料学报
 |
| 出版日期 | 2000 |
| 期号 | 05 |
| 关键词 | K1 内耗 偏铌酸铅陶瓷 畴壁 氧空位 |
| ISSN号 | 1000-324X |
| 其他题名 | T1 偏铌酸铅陶瓷低频内耗的研究 |
| 中文摘要 | 用低频倒置扭摆对改性偏铌酸铅铁电陶瓷的内耗进行了研究．在新加工的样品中发现了六个内耗峰，分别位于７０℃（Ｐ１峰）、 ９０℃（Ｐ２峰）、２００℃（Ｐ３峰）、２６０℃（Ｐ４峰）、４３０℃（Ｐ５峰）和５１０℃（Ｐ６峰）处．对引起Ｐ３、Ｐ１、Ｐ２和Ｐ４峰的物理机制进行了详细探讨．分析结果表明，Ｐ３峰的本质是一定化的 Ｄｅｂｙｅ弛豫内耗峰。相应的激活能和指前因子分别为１．０１４Ｖ和 ２．４×１０－１４ｓ．它源于氧空位与畴壁的相互作用． Ｐ１、 Ｐ２和 Ｐ４峰与试样的切割加工密切相关，可归结为点缺陷与位错的交互作用． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104648]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 贺连星,李承恩,陈廷国,等. 偏铌酸铅陶瓷低频内耗的研究[J]. 无机材料学报,2000(05). |
| APA | 贺连星,李承恩,陈廷国,刘卫,朱震刚,&水嘉鹏.(2000).偏铌酸铅陶瓷低频内耗的研究.无机材料学报(05). |
| MLA | 贺连星,et al."偏铌酸铅陶瓷低频内耗的研究".无机材料学报 .05(2000). |
入库方式： OAI收割
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