气流分布对MOCVD HgCdTe组份均匀性的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 徐飞 ; 彭瑞伍 ; 丁永庆 ; 张玉平 ; 陈记安 ; 李贤春 |
| 刊名 | 激光与红外
 |
| 出版日期 | 1992 |
| 期号 | 03 |
| 关键词 | K1 气流分布形态 组份均匀性 |
| ISSN号 | 1001-5078 |
| 其他题名 | T1 气流分布对MOCVD HgCdTe组份均匀性的影响 |
| 中文摘要 | 本文报导用特殊方法观察到气流在MOCVD反应室里的分布形态,并以此为根据,通入不同流量的有机物生长HgCdTe。测试结果表明:气体流量对HgCdTe材料组份均匀性影响很大。在一个适当的流量下,能生长出良好的HgCdTe。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104662]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐飞,彭瑞伍,丁永庆,等. 气流分布对MOCVD HgCdTe组份均匀性的影响[J]. 激光与红外,1992(03). |
| APA | 徐飞,彭瑞伍,丁永庆,张玉平,陈记安,&李贤春.(1992).气流分布对MOCVD HgCdTe组份均匀性的影响.激光与红外(03). |
| MLA | 徐飞,et al."气流分布对MOCVD HgCdTe组份均匀性的影响".激光与红外 .03(1992). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。