气态源分子束外延InGaP／GaAs结构及其在异质结双极晶体管中的应用
文献类型：期刊论文
| 作者 | 齐鸣 ; 李爱珍 ; 任尧成 ; 陈建新 ; 张永刚 ; 李存才 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
 |
| 出版日期 | 1995 |
| 期号 | 02 |
| ISSN号 | 10074252 |
| 中文摘要 | 本文研究了ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ异质结构的气态源分子束外延（ＧＳＭＢＥ）生长，所得样品晶格失配率△α／α＜８．９５×１０￣（－５），本底载流子浓度为１０￣（１５）ｃｍ￣（－３）数量级，掺硅ｎ型样品的载流子浓度控制范围可达２×１０￣（１５）～４×１０￣（１８）ｃｍ￣（－３）。研究了Ｐ＿２和Ａｓ＿２气氛的切换条件对ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ异质结构界面特性的影响，并成功地生长了ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）结构材料，用此材料在国内首次制成的ＨＢＴ器件ｆｒ＝２５ＧＨｚ，ｆ＿（ｍａｘ）＝４６ＧＨｚ，电流增 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104664]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 齐鸣,李爱珍,任尧成,等. 气态源分子束外延InGaP／GaAs结构及其在异质结双极晶体管中的应用[J]. 功能材料与器件学报,1995(02). |
| APA | 齐鸣,李爱珍,任尧成,陈建新,张永刚,&李存才.(1995).气态源分子束外延InGaP／GaAs结构及其在异质结双极晶体管中的应用.功能材料与器件学报(02). |
| MLA | 齐鸣,et al."气态源分子束外延InGaP／GaAs结构及其在异质结双极晶体管中的应用".功能材料与器件学报 .02(1995). |
入库方式： OAI收割
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