砷化镓ASIC电路实用库的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 杨国洪 ; 范恒 ; 王碧娟 ; 夏冠群 ; 章洪深 ; 甘骏人 ; 姚林声 ; 凌雷 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1995 |
| 期号 | 12 |
| ISSN号 | 02534177 |
| 中文摘要 | 本文提出了一种以ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ双层金属布线工艺和ＳＤＦＬ电路形式为基础的ＧａＡｓ６００门门阵列基片的结构，阐述了实用ＧａＡｓ单元库的设计准则和方法，并以全加器为例说明了宏单元库的电路形式、几何结构、内部布线及输入输出的考虑．实用ＧａＡｓ门阵列设计系统已在ＣＯＭＰＡＣＡＤ工作站上建立，文中给出一个用该系统设计的应用实例． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104810]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨国洪,范恒,王碧娟,等. 砷化镓ASIC电路实用库的研究[J]. 半导体学报,1995(12). |
| APA | 杨国洪.,范恒.,王碧娟.,夏冠群.,章洪深.,...&凌雷.(1995).砷化镓ASIC电路实用库的研究.半导体学报(12). |
| MLA | 杨国洪,et al."砷化镓ASIC电路实用库的研究".半导体学报 .12(1995). |
入库方式： OAI收割
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