砷化镓MESFET器件的电路模拟
文献类型：期刊论文
| 作者 | 杨国洪 ; 范恒 ; 王碧娟 ; 姚林声 ; 雷少莉 ; 夏冠群 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
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| 出版日期 | 1996 |
| 期号 | 02 |
| ISSN号 | 10074252 |
| 中文摘要 | 鉴于器件模拟参数在电路模拟中的重要性，本文选择了较为理想的模型参数提取方法─统计试验法，并从理论上解决了该方法在迭代求解过程中存在的隐函数问题，以及解的唯一性问题。同时提出了加速求解的方法，在此基础上设计的软件可获得精确的器件模型参数。该软件与通用的ＳＰＩＣＥ３集成为一个针对ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ器件的电路模拟系统。本文给出了该系统对不同的电路形式在不同的器件参数下的模拟结果，为我们的ＧａＡｓ６００门门阵列，四位同步计数器电路等课题的成功研制，发挥了重要的作用。 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104811]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨国洪,范恒,王碧娟,等. 砷化镓MESFET器件的电路模拟[J]. 功能材料与器件学报,1996(02). |
| APA | 杨国洪,范恒,王碧娟,姚林声,雷少莉,&夏冠群.(1996).砷化镓MESFET器件的电路模拟.功能材料与器件学报(02). |
| MLA | 杨国洪,et al."砷化镓MESFET器件的电路模拟".功能材料与器件学报 .02(1996). |
入库方式： OAI收割
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