砷化镓SJFET四端器件
文献类型：期刊论文
| 作者 | 任新国 ; 欧海疆 ; 王渭源 ; 夏冠群 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1994 |
| 期号 | 05 |
| ISSN号 | 02534177 |
| 中文摘要 | 本文提出一种由Ｍ－ＳＳｃｈｏｔｔｋｙ结和ｐｎ结组成的ＧａＡｓＳＪＰＥＴ四端器件，对该器件原理进行了分析与讨论，并在实验室研制出了ＧａＡｓＳＪＦＥＴ四端器件．实验结果表明，该器件可通过上、下两个栅分别调控，实现器件阈值电压连续可调．该器件极易获得稳定、重复的Ｅ－和Ｄ－ＭＥＳＦＥＴ，可望在ＧａＡｓ集成电路中得到应用． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104812]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 任新国,欧海疆,王渭源,等. 砷化镓SJFET四端器件[J]. 半导体学报,1994(05). |
| APA | 任新国,欧海疆,王渭源,&夏冠群.(1994).砷化镓SJFET四端器件.半导体学报(05). |
| MLA | 任新国,et al."砷化镓SJFET四端器件".半导体学报 .05(1994). |
入库方式： OAI收割
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