砷化镓材料中EPR“As_(Ga)”的退火行为
文献类型：期刊论文
| 作者 | 汪光裕 ; 邹元燨 ; S.Benakki ; E.Christoffel ; A.Goltzene ; B.Meyer ; C.Schwab |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1990 |
| 期号 | 03 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 本文比较了中子辐照。压缩变形和原生LEC砷化镓等三种不同来源样品的EPR“As_(Ga)”的Hamiltonian参数。并系统地研究了EPR“As_(Ga)”的浓度和低温光猝灭行为随退火温度的变化,从而进一步验证了EPR“As_(Ga)”的本性,即除孤立As_(Ga)反位原子外,还可能包括As_(Ga)的一些空位络合物。这些不同本性的EPR“As_(Ga)”缺陷及其它有关的缺陷在样品热处理过程中可能相互转化。按照物理化学中Le Chatlier原理,缺陷的原始浓度和晶体内部应变能似应是引起这些转化反应的重 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104814]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 汪光裕,邹元燨,S.Benakki,等. 砷化镓材料中EPR“As_(Ga)”的退火行为[J]. 半导体学报,1990(03). |
| APA | 汪光裕.,邹元燨.,S.Benakki.,E.Christoffel.,A.Goltzene.,...&C.Schwab.(1990).砷化镓材料中EPR“As_(Ga)”的退火行为.半导体学报(03). |
| MLA | 汪光裕,et al."砷化镓材料中EPR“As_(Ga)”的退火行为".半导体学报 .03(1990). |
入库方式： OAI收割
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