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砷化镓单片集成光路的研制

文献类型:期刊论文

作者潘慧珍 ; 肖宗耀 ; 沈彭年 ; 程宗权 ; 富小妹 ; 朱黎明 ; 吴冠群 ; 水海龙
刊名科学通报
出版日期1981
期号18
ISSN号0023-074X
中文摘要<正> 近年来,用化学腐蚀方法制作腐蚀腔面GaAs激光器和集成光路,受到了相当重视,已经报道了激光器与调制器,激光器与场效应晶体管,双波导结构激光器与放大或探测器,以及激光器与探测器等的单片集成。 适合于集成的GaAs激光器有分布反馈(DFB)激光器,分布布拉格反射(DBR)激光器和腐蚀腔面激光器等。DFB和DBR激光器由于需要制作精细的皱光栅结构,因此不易达到
语种中文
公开日期2012-03-29
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104816]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所)
推荐引用方式
GB/T 7714
潘慧珍,肖宗耀,沈彭年,等. 砷化镓单片集成光路的研制[J]. 科学通报,1981(18).
APA 潘慧珍.,肖宗耀.,沈彭年.,程宗权.,富小妹.,...&水海龙.(1981).砷化镓单片集成光路的研制.科学通报(18).
MLA 潘慧珍,et al."砷化镓单片集成光路的研制".科学通报 .18(1981).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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