砷化镓气相掺硫外延和亚微米薄层的制备
文献类型：期刊论文
| 作者 | 彭瑞伍 ; 孙裳珠 ; 沈松华 |
| 刊名 | 电子科学学刊
 |
| 出版日期 | 1983 |
| 期号 | 01 |
| ISSN号 | 1009-5896 |
| 中文摘要 | 本文介绍了Ga-AsCl_3-H_2体系,研究了气相外延时硫的掺杂行为,讨论了硫的掺杂机理和生长了亚微米薄层。制得的亚微米外延层的质量表明,表面形貌良好,缺陷少,重复性好。典型的电学性质为:当厚度≤0.4μm和浓度为1—2×10~(17)/cm~3时,击穿电压V_B=7—10V。在单层和多层外延结构中,界面浓度基本是突变的,过渡区约0.1μm。这些外延片已用于制备变容管和远红外探测器等。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104821]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 彭瑞伍,孙裳珠,沈松华. 砷化镓气相掺硫外延和亚微米薄层的制备[J]. 电子科学学刊,1983(01). |
| APA | 彭瑞伍,孙裳珠,&沈松华.(1983).砷化镓气相掺硫外延和亚微米薄层的制备.电子科学学刊(01). |
| MLA | 彭瑞伍,et al."砷化镓气相掺硫外延和亚微米薄层的制备".电子科学学刊 .01(1983). |
入库方式： OAI收割
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