砷化镓双异质结高辐射度发光管的研制
文献类型：期刊论文
| 作者 | 泮慧珍 ; 张桂成 ; 徐少华 ; 逄永秀 ; 程宗权 ; 富小妹 ; 朱黎明 ; 胡道珊 |
| 刊名 | 电子学通讯
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| 出版日期 | 1981 |
| 期号 | 01 |
| ISSN号 | 1009-5896 |
| 中文摘要 | 用液相外延技术生长GaAs-Ga_(1-X)Al_XAs双异质结材料,并制成小面积高辐射度发光二极管。辐射度高达100w/sr·cm~2以上,尾纤(芯径60μm,N.A.=0.17)输出功率最高达200μW,外推工作寿命10~5小时。已用于1.8公里,8.448Mb/S,PCM-120路光纤电话通信系统。对器件的工作特性进行了分析,讨论了影响因素及改进途径。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104824]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 泮慧珍,张桂成,徐少华,等. 砷化镓双异质结高辐射度发光管的研制[J]. 电子学通讯,1981(01). |
| APA | 泮慧珍.,张桂成.,徐少华.,逄永秀.,程宗权.,...&胡道珊.(1981).砷化镓双异质结高辐射度发光管的研制.电子学通讯(01). |
| MLA | 泮慧珍,et al."砷化镓双异质结高辐射度发光管的研制".电子学通讯 .01(1981). |
入库方式： OAI收割
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