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砷化镓注锡的红宝石脉冲激光退火

文献类型:期刊论文

作者吴恒显 ; 刘立人 ; 赵新安 ; 忻尚衡
刊名激光
出版日期1979
期号11
ISSN号0258-7025
中文摘要<正> 一、引言 半导体经离子注入后,需经热退火使注入过程引起的晶格损伤得到恢复,同时使注入杂质活化,才能获得良好的电特性。但是热退火有许多的局限性,如高剂量注入所产生的晶格损伤得不到充分恢复,衬底材料的少子寿命与扩散长度会严重下降,对化学稳定性较差的化合物半导体,还会引起分解与
语种中文
公开日期2012-03-29
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104831]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所)
推荐引用方式
GB/T 7714
吴恒显,刘立人,赵新安,等. 砷化镓注锡的红宝石脉冲激光退火[J]. 激光,1979(11).
APA 吴恒显,刘立人,赵新安,&忻尚衡.(1979).砷化镓注锡的红宝石脉冲激光退火.激光(11).
MLA 吴恒显,et al."砷化镓注锡的红宝石脉冲激光退火".激光 .11(1979).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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