砷化铟中的剩余施主和高纯砷化铟晶体的生长 Ⅱ.高纯砷化铟晶体生长及热处理对电学性质的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吴际森 ; 邹元爔 ; 莫培根 |
| 刊名 | 应用科学学报
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| 出版日期 | 1984 |
| 期号 | 01 |
| ISSN号 | 0255-8297 |
| 中文摘要 | 用特别处理的石英舟生长纯度InAs晶体,不仅避免了Si沾污,而且能克服沾舟的困难.晶体的电学性质μ_(77)在54000～60000 cm~2/V·s之间,最高达68800 cm~2/V·s,n_(77)在1.5～2.0×10~(16)cm~(-3)范围,比一般石英舟生长的为好.用它作GaInAs气相外延的源,也能得到较好结果. 根据实验结果对InAs中的剩余施主作了进一步分析,认为它们主要是由Si(主要来自原料)、S、Na、Cu等杂质所构成,其总和在10~(16)cm~(-3)以上。另外,热处理实验结 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104833]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴际森,邹元爔,莫培根. 砷化铟中的剩余施主和高纯砷化铟晶体的生长 Ⅱ.高纯砷化铟晶体生长及热处理对电学性质的影响[J]. 应用科学学报,1984(01). |
| APA | 吴际森,邹元爔,&莫培根.(1984).砷化铟中的剩余施主和高纯砷化铟晶体的生长 Ⅱ.高纯砷化铟晶体生长及热处理对电学性质的影响.应用科学学报(01). |
| MLA | 吴际森,et al."砷化铟中的剩余施主和高纯砷化铟晶体的生长 Ⅱ.高纯砷化铟晶体生长及热处理对电学性质的影响".应用科学学报 .01(1984). |
入库方式： OAI收割
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