深能级杂质对InGaAsP/InP发光管输出功率饱和性的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王德宁 ; 水海龙 |
| 刊名 | 发光与显示
 |
| 出版日期 | 1984 |
| 期号 | 01 |
| ISSN号 | 1000-7032 |
| 中文摘要 | 本文从文献测得InGaAsP材料中存在着较大的俘获截面、较高的深能级杂质(或缺陷)浓度的事实出发,应用了文献(13)所提出的深能级引起的多声子非辐射复合模型,在此模型基础上,使用了一系列与多声子复合有关的关系式,从理论和实验上证实了考虑多声子复合对LED输出功率饱和性影响的必要性。讨论了深能缀杂质(或缺陷)的能级及其浓度对注入电流Ⅰ与载流子寿命τ、内量子效率qηi,输出功率间关系的影响。也讨论了温度的影响。研究了各参数闯相互关系,并找出了影晌饱和性的原因所在。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104840]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王德宁,水海龙. 深能级杂质对InGaAsP/InP发光管输出功率饱和性的影响[J]. 发光与显示,1984(01). |
| APA | 王德宁,&水海龙.(1984).深能级杂质对InGaAsP/InP发光管输出功率饱和性的影响.发光与显示(01). |
| MLA | 王德宁,et al."深能级杂质对InGaAsP/InP发光管输出功率饱和性的影响".发光与显示 .01(1984). |
入库方式： OAI收割
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