十二位SOI/CMOS数模转换器的研制
文献类型：期刊论文
| 作者 | 范秀强 ; 张正番 ; 刘永光 ; 多新中 ; 张苗 ; 王连卫 ; 林成鲁 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
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| 出版日期 | 2002 |
| 期号 | 01 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | 介绍一种SOI/CMOS数模转换器的设计和工艺。电路采用了SOI(SiliconOnInsulator)材料代替常规的体硅,使电路具有高速、抗辐照的特点;同时,电路采用独特分段结构和3—7温度编码电路,降低了对R—2R电阻网络的精度要求,提高了转换精度。 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104861]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 范秀强,张正番,刘永光,等. 十二位SOI/CMOS数模转换器的研制[J]. 功能材料与器件学报,2002(01). |
| APA | 范秀强.,张正番.,刘永光.,多新中.,张苗.,...&林成鲁.(2002).十二位SOI/CMOS数模转换器的研制.功能材料与器件学报(01). |
| MLA | 范秀强,et al."十二位SOI/CMOS数模转换器的研制".功能材料与器件学报 .01(2002). |
入库方式： OAI收割
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