石墨舟液相外延纯度砷化镓材料的电学性质
文献类型：期刊论文
| 作者 | 施惠英 ; 余海生 ; 李连生 ; 任尧成 ; 江玲娣 ; 孙清 ; 邹元爔 |
| 刊名 | 半导体技术
 |
| 出版日期 | 1979 |
| 期号 | 03 |
| ISSN号 | 1003-353X |
| 中文摘要 | 本文报导用石墨舟液相外延纯度砷化镓材料的电学性质。在氢中含氧量为0.12×10~(-6)的条件下,获得的较好生长层的电学参数为μ_(77)~K=9.41×10~4～1.22×10~5厘米~2/伏·秒,n_(77)K=3.77×10~(13)～4.53×10~(14)厘米~(-3)。另外,研究了系统漏气及氢中含氧量对浅施主浓度N_D、熔融KOH腐蚀坑密度和生长层表面氧化膜的影响以及这些参数间的相互关系。 根据生长层的电学性质,计算了室温迁移率的计算值与实测值之差Δμ300K。发现,后者随N_D增加而降低,恰 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104875]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 施惠英,余海生,李连生,等. 石墨舟液相外延纯度砷化镓材料的电学性质[J]. 半导体技术,1979(03). |
| APA | 施惠英.,余海生.,李连生.,任尧成.,江玲娣.,...&邹元爔.(1979).石墨舟液相外延纯度砷化镓材料的电学性质.半导体技术(03). |
| MLA | 施惠英,et al."石墨舟液相外延纯度砷化镓材料的电学性质".半导体技术 .03(1979). |
入库方式： OAI收割
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