双层金属布线硅栅CMOS门阵列电路制造工艺技术研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 郑养鉥 ; 张敏 ; 凌栋忠 ; 吴璘 ; 顾惠芬 ; 郑庆云 ; 邱斌 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1993 |
| 期号 | 01 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 采用双层金属布线可以提高集成电路的集成密度、集成度和速度。本文报道了双层金属布线工艺技术成功地应用于制造标准3μm硅栅CMOS 500门、1200门、2000门多种门阵列专用大规模集成电路。本文对双层金属布线硅栅CMOS门阵列电路制造工艺技术的几个关键技术问题进行讨论。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104893]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑养鉥,张敏,凌栋忠,等. 双层金属布线硅栅CMOS门阵列电路制造工艺技术研究[J]. 半导体学报,1993(01). |
| APA | 郑养鉥.,张敏.,凌栋忠.,吴璘.,顾惠芬.,...&邱斌.(1993).双层金属布线硅栅CMOS门阵列电路制造工艺技术研究.半导体学报(01). |
| MLA | 郑养鉥,et al."双层金属布线硅栅CMOS门阵列电路制造工艺技术研究".半导体学报 .01(1993). |
入库方式： OAI收割
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