水平法生长GaSb单晶的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 余海生 ; 蒋玉兰 ; 胡建 ; 廖丽英 |
| 刊名 | 固体电子学研究与进展
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| 出版日期 | 1991 |
| 期号 | 02 |
| ISSN号 | 1000-3819 |
| 中文摘要 | 本文采用独特的工艺和装置,用水平法研制GaSb单晶.已获得不掺杂p型晶体,室温下其载流子浓度和迁移率分别为1.0～1.7×10~(17)cm~(-3)和630～780cm~2/V·s;渗Te的n型单晶两者分别为1.4×10~(18)cm~(-3)和2690cm~2/V·s,成晶率大于50%.本文还探讨了研制过程中存在的几个问题. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104900]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 余海生,蒋玉兰,胡建,等. 水平法生长GaSb单晶的研究[J]. 固体电子学研究与进展,1991(02). |
| APA | 余海生,蒋玉兰,胡建,&廖丽英.(1991).水平法生长GaSb单晶的研究.固体电子学研究与进展(02). |
| MLA | 余海生,et al."水平法生长GaSb单晶的研究".固体电子学研究与进展 .02(1991). |
入库方式： OAI收割
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