瞬态退火过程中高密度缺陷运动对PN结漏电流影响的机理
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张通和 ; 周生辉 ; 吴瑜光 ; 罗晏 |
| 刊名 | 北京师范大学学报(自然科学版)
 |
| 出版日期 | 1990 |
| 期号 | 01 |
| 关键词 | K1 As注入Si 高密度缺陷运动 PN结漏电机理 |
| ISSN号 | 0476-0301 |
| 中文摘要 | 5×10~(16)cm~(-2)的As高注量注入Si时,瞬态退火过程中出现高密度缺陷.它是由超饱和As浓度的存在造成的,其分布随退火时间增加而展宽.这种缺陷在退火过程中导致奇异扩展的出现.As浓度分布在高密度缺陷区与单晶区交界处出现拐点.拐点深度随退火时间加长而变深.高密度缺陷扩展结果导致PN结漏电流增加.讨论了缺陷运动对PN结漏电流影响的机理. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104907]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张通和,周生辉,吴瑜光,等. 瞬态退火过程中高密度缺陷运动对PN结漏电流影响的机理[J]. 北京师范大学学报(自然科学版),1990(01). |
| APA | 张通和,周生辉,吴瑜光,&罗晏.(1990).瞬态退火过程中高密度缺陷运动对PN结漏电流影响的机理.北京师范大学学报(自然科学版)(01). |
| MLA | 张通和,et al."瞬态退火过程中高密度缺陷运动对PN结漏电流影响的机理".北京师范大学学报(自然科学版) .01(1990). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。