锑化镓的光助微刻蚀及其表面氧化物的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 曹阳 ; 陆寿蕴 ; 李爱珍 |
| 刊名 | 物理化学学报
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| 出版日期 | 1996 |
| 期号 | 03 |
| 关键词 | K1 半导体电化学 半导体光电化学 锑化镓的光助微刻蚀 锑化镓电极的界面性质 |
| ISSN号 | 1000-6818 |
| 中文摘要 | 用电化学和光电化学方法研究锑化镓表面的腐蚀以及锑化镓表面氧化膜的生成和溶解．锑化镓电极在一定电势下生成的氧化腹，用俄歇能谱证明，其主要成分为难溶的氧化锑，此氧化膜的存在抑制了锑化镓的进一步腐蚀，同时亦使锑化镓的半导体光电化学性能大为减弱．通过激光微刻蚀及电子显微镜的观察，在刻蚀剂中添加酒石酸、柠檬酸和氢氟酸等试剂，可使刻蚀图形得到改善．实验研究了锑化镓的平带电势的测定． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104941]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 曹阳,陆寿蕴,李爱珍. 锑化镓的光助微刻蚀及其表面氧化物的研究[J]. 物理化学学报,1996(03). |
| APA | 曹阳,陆寿蕴,&李爱珍.(1996).锑化镓的光助微刻蚀及其表面氧化物的研究.物理化学学报(03). |
| MLA | 曹阳,et al."锑化镓的光助微刻蚀及其表面氧化物的研究".物理化学学报 .03(1996). |
入库方式： OAI收割
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