添加元素In、Ga对富Sn法Nb_3Sn反应扩散过程和超导临界特性的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 何牧 ; 宫世明 ; 胡素辉 ; 黄桐凯 ; 潘金彪 ; 胡善荣 ; 赵惠玲 ; 胡永祥 ; 朱萍 ; 李传义 ; 高瑞芬 ; 朱泽智 |
| 刊名 | 低温物理
 |
| 出版日期 | 1984 |
| 期号 | 04 |
| ISSN号 | 1000-3258 |
| 中文摘要 | 本文主要报道添加元素In、Ga对Nb管富Sn法Nb_3Sn反应扩散热处理过程和超导临界特性的影响的初步结果。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104955]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 何牧,宫世明,胡素辉,等. 添加元素In、Ga对富Sn法Nb_3Sn反应扩散过程和超导临界特性的影响[J]. 低温物理,1984(04). |
| APA | 何牧.,宫世明.,胡素辉.,黄桐凯.,潘金彪.,...&朱泽智.(1984).添加元素In、Ga对富Sn法Nb_3Sn反应扩散过程和超导临界特性的影响.低温物理(04). |
| MLA | 何牧,et al."添加元素In、Ga对富Sn法Nb_3Sn反应扩散过程和超导临界特性的影响".低温物理 .04(1984). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。