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通过InGaAsP外延层的InP深Zn扩散理论与实验研究

文献类型:期刊论文

作者肖德元 ; 徐少华 ; 郭康瑾
刊名红外与毫米波学报
出版日期1992
期号02
ISSN号1001-9014
中文摘要研究了Zn在InP、InGaAsP以及InGaAsP/InP中的扩散,扩散结深均与时间的平方根成正比.对于InGaAsP/InP单异质结,扩散结深还与InGaAsP覆盖层的厚度x_0有关.推导出其结深与扩散时间的函数关系为x_j/t~(1/2)=-x_0/(rt~(1/2))+I.
语种中文
公开日期2012-03-29
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104969]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所)
推荐引用方式
GB/T 7714
肖德元,徐少华,郭康瑾. 通过InGaAsP外延层的InP深Zn扩散理论与实验研究[J]. 红外与毫米波学报,1992(02).
APA 肖德元,徐少华,&郭康瑾.(1992).通过InGaAsP外延层的InP深Zn扩散理论与实验研究.红外与毫米波学报(02).
MLA 肖德元,et al."通过InGaAsP外延层的InP深Zn扩散理论与实验研究".红外与毫米波学报 .02(1992).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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