退火对 a-Si∶H/a-SiN_x∶H 多层膜光致发光和红外吸收谱的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王树林 ; 程如光 ; 祁明维 ; 沈学础 ; 唐文国 |
| 刊名 | 无机材料学报
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| 出版日期 | 1991 |
| 期号 | 04 |
| 关键词 | K1 多层膜 氢化非晶硅 光致发光 红外吸收谱 界面氢 热稳定性 |
| ISSN号 | 1000-324X |
| 其他题名 | T1 退火对 a-Si∶H/a-SiN_x∶H 多层膜光致发光和红外吸收谱的影响 |
| 中文摘要 | 本文报道了经300℃到800℃退火后的氢化非晶硅(a-Si∶H)/氢化非晶氮化硅(a-SiN_x∶H)多层膜77K 的光致发光性能。77K 的光致发光峰值能量随 T_a 增加而减少,其减少速度对几种样品是不同的,由厚度为20(?)的 a-Si∶H 子层组成的多层膜(d_(?)=20(?))要来得慢。当退火温度达到800℃时,d_(?)=20(?)的多层膜仍保留有光致发光特性,而对于 d_(?)=300(?)多层膜和单层 a-Si∶H 膜,当退火到600℃后光致发光特性已消失。文中提出了不同 a-Si∶H |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104985]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王树林,程如光,祁明维,等. 退火对 a-Si∶H/a-SiN_x∶H 多层膜光致发光和红外吸收谱的影响[J]. 无机材料学报,1991(04). |
| APA | 王树林,程如光,祁明维,沈学础,&唐文国.(1991).退火对 a-Si∶H/a-SiN_x∶H 多层膜光致发光和红外吸收谱的影响.无机材料学报(04). |
| MLA | 王树林,et al."退火对 a-Si∶H/a-SiN_x∶H 多层膜光致发光和红外吸收谱的影响".无机材料学报 .04(1991). |
入库方式： OAI收割
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