退火温度对Ge-SiO_2薄膜结构的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 汤乃云 ; 叶春暖 ; 吴雪梅 ; 诸葛兰剑 ; 俞跃辉 ; 姚伟国 |
| 刊名 | 功能材料
 |
| 出版日期 | 2002 |
| 期号 | 03 |
| 关键词 | K1 薄膜 溅射 退火温度 |
| ISSN号 | 1001-9731 |
| 其他题名 | T1 退火温度对Ge-SiO_2薄膜结构的影响 |
| 中文摘要 | 用射频磁控溅射制备了Ge SiO2 薄膜。在N2 的保护下对薄膜进行了不同温度的退火处理。使用傅里叶变换红外光谱分析 (FTIR)技术 ,X射线衍射谱 (XRD) ,X射线光电子能谱(XPS)分析样品的微结构 ,研究样品在退火中发生的结构、组分的变化。结果表明退火温度对薄膜的结构 ,尤其是薄膜中的GeO含量和GeO晶粒的大小的影响是显著的 ,并对其做了详尽的分析讨论 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104992]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 汤乃云,叶春暖,吴雪梅,等. 退火温度对Ge-SiO_2薄膜结构的影响[J]. 功能材料,2002(03). |
| APA | 汤乃云,叶春暖,吴雪梅,诸葛兰剑,俞跃辉,&姚伟国.(2002).退火温度对Ge-SiO_2薄膜结构的影响.功能材料(03). |
| MLA | 汤乃云,et al."退火温度对Ge-SiO_2薄膜结构的影响".功能材料 .03(2002). |
入库方式： OAI收割
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