退火温度对SOI材料与器件性能的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 施左宇 ; 林成鲁 ; 朱文化 ; 邹世昌 ; 李金华 |
| 刊名 | 固体电子学研究与进展
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| 出版日期 | 1992 |
| 期号 | 03 |
| ISSN号 | 1000-3819 |
| 中文摘要 | 在注氧形成的SOI衬底上制作了P型MOSFET。本文研究了不同退火温度对材料形成与器件性能的影响。结果表明,1300℃以上的退火有利于改善SIMOX(Separation by ImplantedOxygen)材料性能,MOS晶体管具有非常低的漏电流。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104993]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 施左宇,林成鲁,朱文化,等. 退火温度对SOI材料与器件性能的影响[J]. 固体电子学研究与进展,1992(03). |
| APA | 施左宇,林成鲁,朱文化,邹世昌,&李金华.(1992).退火温度对SOI材料与器件性能的影响.固体电子学研究与进展(03). |
| MLA | 施左宇,et al."退火温度对SOI材料与器件性能的影响".固体电子学研究与进展 .03(1992). |
入库方式： OAI收割
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