外延迁移技术制作光电子单片集成Si的GaAs/GaAlAs DH LED
文献类型：期刊论文
| 作者 | 肖德元 ; 郭康瑾 ; 李爱珍 ; 徐少华 ; 朱黎明 |
| 刊名 | 红外与毫米波学报
 |
| 出版日期 | 1992 |
| 期号 | 05 |
| ISSN号 | 1001-9014 |
| 中文摘要 | 描述了采用外延迁移技术制作光电子集成电路的Si衬底砷化镓双异质结发光二极管的工艺过程及实验结果.发光器件是在外延迁移后流片制作的,克服了光子器件与电子器件的对准问题,可与电子器件大规模集成. |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105004]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 肖德元,郭康瑾,李爱珍,等. 外延迁移技术制作光电子单片集成Si的GaAs/GaAlAs DH LED[J]. 红外与毫米波学报,1992(05). |
| APA | 肖德元,郭康瑾,李爱珍,徐少华,&朱黎明.(1992).外延迁移技术制作光电子单片集成Si的GaAs/GaAlAs DH LED.红外与毫米波学报(05). |
| MLA | 肖德元,et al."外延迁移技术制作光电子单片集成Si的GaAs/GaAlAs DH LED".红外与毫米波学报 .05(1992). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。