无孪生磷化铟晶体生长
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王祥熙 ; 徐涌泉 ; 杨金华 ; 方敦辅 |
| 刊名 | 稀有金属
 |
| 出版日期 | 1981 |
| 期号 | 03 |
| ISSN号 | 0258-7076 |
| 中文摘要 | 在高压液封切克劳斯基(LEC)方法生长InP晶体过程中,孪晶出现是一个比较突出的问题。但是选择合理的热场、注意液封剂B_2 O_3脱水条件、使用化学配比的InP多晶料,在<111>P面生长方向的情况下,可重现地制备无孪生磷化铟晶体。而且引晶后,晶体放肩斜度与生长轴夹角达25°左右时仍可得完整锭单晶。若上述条件均能同时满足,生长参数相对稳定,则在拉制直径为25—30毫米、重160克左右的晶体时,单晶出现几率大于70％。并用相应的条件生长了直径为35—38毫米、重300—320克的单晶。 上述掺杂晶体代表性电 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105071]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王祥熙,徐涌泉,杨金华,等. 无孪生磷化铟晶体生长[J]. 稀有金属,1981(03). |
| APA | 王祥熙,徐涌泉,杨金华,&方敦辅.(1981).无孪生磷化铟晶体生长.稀有金属(03). |
| MLA | 王祥熙,et al."无孪生磷化铟晶体生长".稀有金属 .03(1981). |
入库方式： OAI收割
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