无孪生磷化铟晶体生长(简报)
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王祥熙 ; 徐涌泉 ; 杨金华 ; 方敦辅 |
| 刊名 | 半导体光电
 |
| 出版日期 | 1981 |
| 期号 | 02 |
| ISSN号 | 1001-5868 |
| 中文摘要 | <正> 磷化铟作为新型化合物半导体材料,已在国内外引起广泛重视。它在微波和光电器件中都能应用,尤其是用它作衬底来生长GaInAsP异质结外延层,制造红外发光二极管、激光器和光雪崩二极管,作为长波长范围的光纤通信中的光源和探测器,已进入实用阶段。因此,生长质量好的InP单晶,便成为一个迫切需要研究的课题。Mullin首先用LEC法,在高压下制备了磷化铟单晶。但是,在其生长过程中,孪晶出现是一个比较突出的问题。许多研究工作者曾为此进行了不少工作,但迄今仍未找到有效防止孪晶出现的途径。我们工作是根据磷化铟生长特 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105072]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王祥熙,徐涌泉,杨金华,等. 无孪生磷化铟晶体生长(简报)[J]. 半导体光电,1981(02). |
| APA | 王祥熙,徐涌泉,杨金华,&方敦辅.(1981).无孪生磷化铟晶体生长(简报).半导体光电(02). |
| MLA | 王祥熙,et al."无孪生磷化铟晶体生长(简报)".半导体光电 .02(1981). |
入库方式： OAI收割
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