斜入射低能离子束溅射表面貌相的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 任琮欣 ; 陈国明 ; 傅新定 ; 杨洁 ; 方红丽 ; 邹世昌 |
| 刊名 | 真空科学与技术
 |
| 出版日期 | 1985 |
| 期号 | 06 |
| ISSN号 | 1672-7126 |
| 中文摘要 | 如300～1200eV低能氩离子束以45°入射角溅射锗、硅、玻璃等七种样品的抛光表面,则样品表面都出现均匀分布的小丘。考察了离子入射角、能量、剂量、靶子旋转与否对貌相的影响。二次离子质谱和俄歇电子能谱的分析都表明了小丘不是由于杂质再沉积而形成。我们提出了关于小丘形成机理的假设,推导出小丘形成与离子入射角、能量、剂量等的关系式,并对实验结果作出了满意的解释。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105114]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 任琮欣,陈国明,傅新定,等. 斜入射低能离子束溅射表面貌相的研究[J]. 真空科学与技术,1985(06). |
| APA | 任琮欣,陈国明,傅新定,杨洁,方红丽,&邹世昌.(1985).斜入射低能离子束溅射表面貌相的研究.真空科学与技术(06). |
| MLA | 任琮欣,et al."斜入射低能离子束溅射表面貌相的研究".真空科学与技术 .06(1985). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。