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新型超硬材料氮化碳CN_x的离子束合成的研究

文献类型:期刊论文

作者辛火平 ; 林成鲁 ; 许华平 ; 邹世昌 ; 石晓红 ; 吴兴龙 ; 朱宏 ; P.L.F.Hemment
刊名中国科学E辑:技术科学
出版日期1996
期号03
ISSN号1006-9275
中文摘要报道了利用100Kev高剂量N~+在不同的温度条件下注入C膜合成新型超硬材料β-C_3N_4的新结果.对这种新材料进行了X射线光电子能谱,Fourier变换红外光谱、Raman光谱、剖面透射电子显微镜、Rutherford背散射谱、X射线衍射及Vickers显微硬度等测量.结果表明利用100Kev高剂量N~+注入C膜成功地合成了埋层氮化碳CN_(?)膜中C≡N共价键的形成导致膜的硬度明显提高.最后利用Implantation of Reactive Ions into Silicon (IRIS)计算程序
公开日期2012-03-29
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105121]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所)
推荐引用方式
GB/T 7714
辛火平,林成鲁,许华平,等. 新型超硬材料氮化碳CN_x的离子束合成的研究[J]. 中国科学E辑:技术科学,1996(03).
APA 辛火平.,林成鲁.,许华平.,邹世昌.,石晓红.,...&P.L.F.Hemment.(1996).新型超硬材料氮化碳CN_x的离子束合成的研究.中国科学E辑:技术科学(03).
MLA 辛火平,et al."新型超硬材料氮化碳CN_x的离子束合成的研究".中国科学E辑:技术科学 .03(1996).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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