新型高k栅介质材料研究进展
文献类型：期刊论文
| 作者 | 章宁琳 ; 宋志棠 ; 万青 ; 林成鲁 |
| 刊名 | 功能材料
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| 出版日期 | 2002 |
| 期号 | 04 |
| 关键词 | K1 MOSFET 高k材料 栅介质 |
| ISSN号 | 1001-9731 |
| 中文摘要 | 随着半导体技术的不断发展 ,MOSFET (metal oxide semiconductorfieldeffecttransistor)的特征尺寸不断缩小 ,栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级。这时电子的直接隧穿效应将非常显著 ,将严重影响器件的稳定性和可靠性。因此需要寻找新型高k介质材料 ,能够在保持和增大栅极电容的同时 ,使介质层仍保持足够的物理厚度来限制隧穿效应的影响。本文综述了研究高k栅介质材料的意义 ;MOS栅介质的要求 ;主要新型高k栅介质材料的最新研究动态 ;展望了高k介质材料今后发展的 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105126]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 章宁琳,宋志棠,万青,等. 新型高k栅介质材料研究进展[J]. 功能材料,2002(04). |
| APA | 章宁琳,宋志棠,万青,&林成鲁.(2002).新型高k栅介质材料研究进展.功能材料(04). |
| MLA | 章宁琳,et al."新型高k栅介质材料研究进展".功能材料 .04(2002). |
入库方式： OAI收割
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