性能优异的多功能宽禁带半导体AlN薄膜
文献类型：期刊论文
| 作者 | 黄继颇 ; 王连卫 ; 林成鲁 |
| 刊名 | 功能材料
 |
| 出版日期 | 1999 |
| 期号 | 02 |
| 关键词 | K1 氮化铝 宽禁带半导体 异质外延 |
| ISSN号 | 1001-9731 |
| 其他题名 | T1 性能优异的多功能宽禁带半导体AlN薄膜 |
| 中文摘要 | 作为具有优异介电性、压电性的宽禁带半导体材料，ＡｌＮ是重要的电子封装材料、绝缘介质材料、声表面波材料和蓝光紫外发光材料。本文介绍了ＡｌＮ材料结构特性、薄膜制备及应用的最新进展 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105142]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄继颇,王连卫,林成鲁. 性能优异的多功能宽禁带半导体AlN薄膜[J]. 功能材料,1999(02). |
| APA | 黄继颇,王连卫,&林成鲁.(1999).性能优异的多功能宽禁带半导体AlN薄膜.功能材料(02). |
| MLA | 黄继颇,et al."性能优异的多功能宽禁带半导体AlN薄膜".功能材料 .02(1999). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。