亚ns高速双极IC的薄层外延
文献类型：期刊论文
| 作者 | 何德湛 ; 谢明纲 ; 陈明琪 ; 吴佛春 |
| 刊名 | 微电子学与计算机
 |
| 出版日期 | 1987 |
| 期号 | 05 |
| ISSN号 | 1000-7180 |
| 中文摘要 | 本文主要介绍采用较简便的装置及适当的方法,制得几乎无层错、约2μm 厚的薄外延层,从而制造出每门延迟为0.3～0.8n(?) 的高速双极IC.文中还给出用C-V,C-t 法检测外延片的情况. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105153]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 何德湛,谢明纲,陈明琪,等. 亚ns高速双极IC的薄层外延[J]. 微电子学与计算机,1987(05). |
| APA | 何德湛,谢明纲,陈明琪,&吴佛春.(1987).亚ns高速双极IC的薄层外延.微电子学与计算机(05). |
| MLA | 何德湛,et al."亚ns高速双极IC的薄层外延".微电子学与计算机 .05(1987). |
入库方式： OAI收割
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