赝配InGaAs/InAlAs调制掺杂异质结构的Shubnikov-de Haas振荡
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈建新 ; 李爱珍 ; 任尧成 |
| 刊名 | 物理学报
 |
| 出版日期 | 1998 |
| 期号 | 05 |
| ISSN号 | 1000-3290 |
| 中文摘要 | 赝配ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ调制掺杂异质结构可以获得很高的电子气面密度和电子迁移率，从而可以制成具有优越高频和低噪声特性的高电子迁移率晶体管（ＨＥＭＴ）．文中报道ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ调制掺杂异质结构低温下纵向和横向磁阻随磁场强度变化的ＳｈｕｂｎｉｋｏｖｄｅＨａａｓ（ＳｄＨ）振荡和量子Ｈａｌ效应．对ＳｄＨ振荡曲线作了快速傅里叶变换，获得了二维电子气的能带结构和各能带上的电子气面密度．分析比较了顶层ＩｎＧａＡｓ不同掺杂情况对ＳｄＨ振荡的影响，结果发现顶层ＩｎＧａＡｓ重掺杂，会对表面态起屏蔽作用，从而 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105167]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈建新,李爱珍,任尧成. 赝配InGaAs/InAlAs调制掺杂异质结构的Shubnikov-de Haas振荡[J]. 物理学报,1998(05). |
| APA | 陈建新,李爱珍,&任尧成.(1998).赝配InGaAs/InAlAs调制掺杂异质结构的Shubnikov-de Haas振荡.物理学报(05). |
| MLA | 陈建新,et al."赝配InGaAs/InAlAs调制掺杂异质结构的Shubnikov-de Haas振荡".物理学报 .05(1998). |
入库方式： OAI收割
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