赝形In_xGa_(1-x)As/In_(0.52)Al_(0.48)As异质结构中二维电子气的回旋共振光谱研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈张海 ; 胡灿明 ; 陈建新 ; 史国良 ; 刘普霖 ; 沈学础 ; 李爱珍 |
| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 1998 |
| 期号 | 06 |
| ISSN号 | 1000-3290 |
| 中文摘要 | 采用回旋共振光谱方法，同时获得了具有较高电子气浓度的赝形Ｉｎ０８０Ｇａ０２０Ａｓ／Ｉｎ０５３Ｇａ０４７Ａｓ／Ｉｎ０５２Ａｌ０４８ＡｓＨＥＭＴ结构中最低两个子能带的费密面附近电子有效质量、散射时间和迁移率．观察到该系统中能带非抛物性和波函数穿透所导致的电子回旋有效质量的显著增大效应，以及合金无序势和电离杂质散射所引起的电子散射时间和迁移率明显的子带依赖性 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105168]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈张海,胡灿明,陈建新,等. 赝形In_xGa_(1-x)As/In_(0.52)Al_(0.48)As异质结构中二维电子气的回旋共振光谱研究[J]. 物理学报,1998(06). |
| APA | 陈张海.,胡灿明.,陈建新.,史国良.,刘普霖.,...&李爱珍.(1998).赝形In_xGa_(1-x)As/In_(0.52)Al_(0.48)As异质结构中二维电子气的回旋共振光谱研究.物理学报(06). |
| MLA | 陈张海,et al."赝形In_xGa_(1-x)As/In_(0.52)Al_(0.48)As异质结构中二维电子气的回旋共振光谱研究".物理学报 .06(1998). |
入库方式： OAI收割
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