赝形InGaAs/InAlAs渐变异质结中的零磁场自旋分裂
文献类型：期刊论文
| 作者 | 桂永胜 ; 郑国珍 ; 郭少令 ; 褚君浩 ; 汤定元 ; 陈建新 ; 李爱珍 |
| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 1999 |
| 期号 | 01 |
| ISSN号 | 1000-3290 |
| 中文摘要 | 在赝形渐变ＩｎＧａＡｓ／Ｉｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓ异质结的二维电子气中，发现了自旋方向向上的电子和自旋向下的电子在零磁场下存在着自旋分裂．利用ＳｈｕｂｎｉｋｏｖｄｅＨａａｓ振荡研究了异质结中的自旋分裂行为，通过振荡中的拍频现象，发现了零磁场下的自旋分裂量为８７６ｍｅＶ． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105169]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 桂永胜,郑国珍,郭少令,等. 赝形InGaAs/InAlAs渐变异质结中的零磁场自旋分裂[J]. 物理学报,1999(01). |
| APA | 桂永胜.,郑国珍.,郭少令.,褚君浩.,汤定元.,...&李爱珍.(1999).赝形InGaAs/InAlAs渐变异质结中的零磁场自旋分裂.物理学报(01). |
| MLA | 桂永胜,et al."赝形InGaAs/InAlAs渐变异质结中的零磁场自旋分裂".物理学报 .01(1999). |
入库方式： OAI收割
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