阳极氧化Al_2O_3膜/InP和自身氧化膜/InP的界面性质
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吴征 ; 周炳林 ; 张洪方 ; 郭康瑾 ; 杜根娣 |
| 刊名 | 固体电子学研究与进展
 |
| 出版日期 | 1986 |
| 期号 | 02 |
| ISSN号 | 1000-3819 |
| 中文摘要 | 研究了用阳极氧化法制备的Al_2O_3膜/InP和自身氧化膜/InP两种MIS结构的组分分布和电学性质,AES、I-V、C-V和DLTS等测试结果表明,Al_2O_3/InP结构的性能更为优越.用DLTS方法发现这两类样品都具有峰值能量为Ec-Es=0.5eV、俘获截面为～10~(-15)cm~2的连续分布的界面电子陷阱.认为该电子陷阱与磷空位缺陷有关. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105171]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴征,周炳林,张洪方,等. 阳极氧化Al_2O_3膜/InP和自身氧化膜/InP的界面性质[J]. 固体电子学研究与进展,1986(02). |
| APA | 吴征,周炳林,张洪方,郭康瑾,&杜根娣.(1986).阳极氧化Al_2O_3膜/InP和自身氧化膜/InP的界面性质.固体电子学研究与进展(02). |
| MLA | 吴征,et al."阳极氧化Al_2O_3膜/InP和自身氧化膜/InP的界面性质".固体电子学研究与进展 .02(1986). |
入库方式： OAI收割
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