液相外延生长1.3μm GaInAsP/InP双异质结
文献类型：期刊论文
| 作者 | 邬祥生 ; 杨易 ; 李允平 ; 唐嫱妹 ; 水海龙 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1982 |
| 期号 | 02 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | <正> 一、引 言 GaInAsP/InP双异质结材料和器件是当前光通讯研究中人们很感兴趣的一个领域.它具有以下几个特点:(1)有源层禁带可以在相应波长0.96-1.67μm范围内任意选择,适合于低损耗、低色散的光纤传输.(2)能够用异质结阻挡位错的延伸,而本身又可以晶格匹配地生长,不引进失配位错.(3)在有源层达到高效率的发射复合,然后通过透明的InP层,保证有效地取出发射光.(4)InP的热导性较好.(5)该异质结材料不易氧化,生长工艺容易稳定. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105216]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邬祥生,杨易,李允平,等. 液相外延生长1.3μm GaInAsP/InP双异质结[J]. 半导体学报,1982(02). |
| APA | 邬祥生,杨易,李允平,唐嫱妹,&水海龙.(1982).液相外延生长1.3μm GaInAsP/InP双异质结.半导体学报(02). |
| MLA | 邬祥生,et al."液相外延生长1.3μm GaInAsP/InP双异质结".半导体学报 .02(1982). |
入库方式： OAI收割
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