液相外延生长GaInAsP/InP双异质结的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 邬祥生 ; 杨易 ; 李允平 ; 唐嫱妹 ; 水海龙 |
| 刊名 | 半导体光电
 |
| 出版日期 | 1981 |
| 期号 | 02 |
| ISSN号 | 1001-5868 |
| 中文摘要 | 本文报导在(100)晶向InP衬底上,液相外延生长(λ=1.0～1.31μm)GaInAsP/InP双异质结的研究结果。测定了600—670℃温度范围内InP在In中的饱和溶解度,研究了Te、Sn和Zn、Mg等掺杂剂的行为。用X光双晶衍射法研究了GaInAsP/InP异质结的晶格失配,用扫描电镜电子束感生电流法和电化学C-V法研究了外延片中p-n结偏位现象。用光吸收法测试外延片吸收边,估算了外延片中四元层的禁带宽度,并与制管后的发光波长作了比较。外延片可制得发光波长1.0～1.3μm、功率达1mw(100 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105217]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邬祥生,杨易,李允平,等. 液相外延生长GaInAsP/InP双异质结的研究[J]. 半导体光电,1981(02). |
| APA | 邬祥生,杨易,李允平,唐嫱妹,&水海龙.(1981).液相外延生长GaInAsP/InP双异质结的研究.半导体光电(02). |
| MLA | 邬祥生,et al."液相外延生长GaInAsP/InP双异质结的研究".半导体光电 .02(1981). |
入库方式： OAI收割
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