液相外延生长InGaAsP超薄层
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王志忠 ; 邬祥生 ; 周贵德 |
| 刊名 | 半导体光电
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| 出版日期 | 1993 |
| 期号 | 03 |
| ISSN号 | 1001-5868 |
| 中文摘要 | 本文叙述了600℃低温液相外延和两相溶液法生长InGaAsP/InP超薄层及其特性研究。四元外延层的厚度、光荧光峰值半宽、过渡区陡度分别为～63nm,22.8meV,～11nm。四元层与衬底间失配度为+0.3‰。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105218]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王志忠,邬祥生,周贵德. 液相外延生长InGaAsP超薄层[J]. 半导体光电,1993(03). |
| APA | 王志忠,邬祥生,&周贵德.(1993).液相外延生长InGaAsP超薄层.半导体光电(03). |
| MLA | 王志忠,et al."液相外延生长InGaAsP超薄层".半导体光电 .03(1993). |
入库方式： OAI收割
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