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一种采用局域注氧技术制备的新型DSOI器件(英文)

文献类型:期刊论文

作者何平 ; 江波 ; 林曦 ; 刘理天 ; 田立林 ; 李志坚 ; 董业明 ; 陈猛 ; 王曦
刊名半导体学报
出版日期2003
期号06
ISSN号0253-4177
中文摘要为了克服传统 SOI器件的浮体效应和自热效应 ,采用创新的工艺方法将低剂量局域 SIMOX工艺及传统的CMOS工艺结合 ,实现了 DSOI结构的器件 .测试结果表明 ,该器件消除了传统 SOI器件的浮体效应 ,同时自热效应得到很大的改善 ,提高了可靠性和稳定性 .而原先 SOI器件具备的优点得到了保留
语种中文
公开日期2012-03-29
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105229]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所)
推荐引用方式
GB/T 7714
何平,江波,林曦,等. 一种采用局域注氧技术制备的新型DSOI器件(英文)[J]. 半导体学报,2003(06).
APA 何平.,江波.,林曦.,刘理天.,田立林.,...&王曦.(2003).一种采用局域注氧技术制备的新型DSOI器件(英文).半导体学报(06).
MLA 何平,et al."一种采用局域注氧技术制备的新型DSOI器件(英文)".半导体学报 .06(2003).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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