一种提高SOS膜结晶质量的新途径
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈庆贵 ; 史日华 ; 蔡希介 ; 武蕴忠 ; 孙成龙 ; 潘尧令 |
| 刊名 | 应用科学学报
 |
| 出版日期 | 1985 |
| 期号 | 03 |
| ISSN号 | 0255-8297 |
| 中文摘要 | 这是一种提高SOS膜结晶质量的新方法.这种方法包括三步:1)在蓝宝石衬底上先用电子束蒸发薄无定形硅保护层.2)然后在氢气中进行退火处理.3)再用通常CVD方法在带薄硅层上外延生长所需厚度(0.6～0.8μm)的SOS膜.对所得SOS膜进行电子衍射、Nomarski相衬干涉显微镜表面观察、载流子浓度测量和光吸收研究表明:SOS膜质量完好,光吸收因子F_A≤140×10~6cm~(-2),抑制了自掺杂,载流子浓度不超过1×10~(13)cm~(-3). |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105241]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈庆贵,史日华,蔡希介,等. 一种提高SOS膜结晶质量的新途径[J]. 应用科学学报,1985(03). |
| APA | 陈庆贵,史日华,蔡希介,武蕴忠,孙成龙,&潘尧令.(1985).一种提高SOS膜结晶质量的新途径.应用科学学报(03). |
| MLA | 陈庆贵,et al."一种提高SOS膜结晶质量的新途径".应用科学学报 .03(1985). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。