一种新的硅氧化方法——氟化氢增强氧化
文献类型：期刊论文
| 作者 | 尤伟 ; 徐元森 ; 郑养鉥 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1988 |
| 期号 | 06 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 本文作者发现一个新的物理现象:HF具有很强的增强氧化功能,微量HF气体(几百-几千ppm)可以成十倍地提高硅氧化速率.从而提出一种硅的低温氧化工艺,即在800℃的低温下掺HF干氧快速生长氧化层,然后进行纯氧后退火.用这种两步工艺生长了200A的薄氧化层,它们具有极好的厚度均匀性和重复性,很少的界面电荷,较强的抗辐射能力,99％的被测电容达到本征击穿,缺陷密度小于2个/cm~2,TEM放大200万倍的照片展示的Si/SiO_2界面无任何明显凹凸不平,这些特性达到或者超过了高温氧化的水平,表明这种工艺具有十分 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105247]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 尤伟,徐元森,郑养鉥. 一种新的硅氧化方法——氟化氢增强氧化[J]. 半导体学报,1988(06). |
| APA | 尤伟,徐元森,&郑养鉥.(1988).一种新的硅氧化方法——氟化氢增强氧化.半导体学报(06). |
| MLA | 尤伟,et al."一种新的硅氧化方法——氟化氢增强氧化".半导体学报 .06(1988). |
入库方式： OAI收割
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