异质面GaAs太阳电池n层少子产生寿命的测量
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈世帛 ; 周必忠 ; 王加宽 ; 闵惠芳 ; 王振英 |
| 刊名 | 厦门大学学报(自然科学版)
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| 出版日期 | 1994 |
| 期号 | 04 |
| ISSN号 | 04380479 |
| 中文摘要 | 使用简单的微分电流和微分电容技术，从反向偏置的Ｉ－Ｖ和Ｃ－Ｖ数据计算异质面ｐｐｎＧａＡｓ太阳电池ｎ层少子产生寿命剖面图。讨论它对电池性能的影响。 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105279]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈世帛,周必忠,王加宽,等. 异质面GaAs太阳电池n层少子产生寿命的测量[J]. 厦门大学学报(自然科学版),1994(04). |
| APA | 陈世帛,周必忠,王加宽,闵惠芳,&王振英.(1994).异质面GaAs太阳电池n层少子产生寿命的测量.厦门大学学报(自然科学版)(04). |
| MLA | 陈世帛,et al."异质面GaAs太阳电池n层少子产生寿命的测量".厦门大学学报(自然科学版) .04(1994). |
入库方式： OAI收割
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