用MOCVD法在YSZ衬底上制备YBCO膜
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张宏 ; 吴艺雄 ; 王智河 ; 周锷猷 ; 任琮欣 ; 江炳尧 ; 牟海川 ; 柳襄怀 |
| 刊名 | 低温物理学报
 |
| 出版日期 | 1999 |
| 期号 | 04 |
| ISSN号 | 1000-3258 |
| 中文摘要 | 用低压ＭＯＣＶＤ多源法在单晶ＹＳＺ和具有双轴取向ＩＢＡＤＹＳＺ的金属基带上沉积了ＹＢＣＯ膜，它们的Ｊｃ（７７．３Ｋ，０Ｔ）分别为～２×１０６Ａ／ｃｍ２和～７×１０４Ａ／ｃｍ２．分析了本试验中的Ｊｃ差别原因．在单晶ＹＳＺ上ＹＢＣＯ高Ｊｃ数值显示了用ＭＯＣＶＤ制备涂层膜导体的潜力 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105317]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张宏,吴艺雄,王智河,等. 用MOCVD法在YSZ衬底上制备YBCO膜[J]. 低温物理学报,1999(04). |
| APA | 张宏.,吴艺雄.,王智河.,周锷猷.,任琮欣.,...&柳襄怀.(1999).用MOCVD法在YSZ衬底上制备YBCO膜.低温物理学报(04). |
| MLA | 张宏,et al."用MOCVD法在YSZ衬底上制备YBCO膜".低温物理学报 .04(1999). |
入库方式： OAI收割
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