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用PLD法制备声表面波器件用ZnO薄膜

文献类型:期刊论文

作者刘彦松 ; 王连卫 ; 李伟群 ; 黄继颇 ; 林成鲁
刊名功能材料
出版日期2001
期号01
ISSN号1001-9731
中文摘要采用脉冲激光淀积 (PLD)法在单晶Si(10 0 )衬底上淀积了ZnO薄膜。XRD、TEM和AFM分析表明 ,淀积的ZnO薄膜具有良好的c轴取向性和表面平整度。通过改变淀积气氛或在纯氧中高温退火 ,ZnO薄膜的电阻率提高到 10 7Ω·cm。这些结果表明 ,用PLD法淀积的ZnO薄膜能够满足声表面波(SAW )器件的需要。
公开日期2012-03-29
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105319]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所)
推荐引用方式
GB/T 7714
刘彦松,王连卫,李伟群,等. 用PLD法制备声表面波器件用ZnO薄膜[J]. 功能材料,2001(01).
APA 刘彦松,王连卫,李伟群,黄继颇,&林成鲁.(2001).用PLD法制备声表面波器件用ZnO薄膜.功能材料(01).
MLA 刘彦松,et al."用PLD法制备声表面波器件用ZnO薄膜".功能材料 .01(2001).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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