用TEOSPECVD氧化硅做掩蔽层选择性生长金刚石薄膜
文献类型：期刊论文
| 作者 | 何奕骅 ; 许春芳 ; 范焕章 ; 孙卓 ; 王学军 ; 郑志豪 ; 朱建中 ; 杨申仲 |
| 刊名 | 华东师范大学学报(自然科学版)
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| 出版日期 | 1995 |
| 期号 | 04 |
| 关键词 | K1 金刚石 选择性 PETEOS氧化硅 掩蔽层 衬底温度 成核密度 |
| ISSN号 | 10005641 |
| 其他题名 | T1 用TEOSPECVD氧化硅做掩蔽层选择性生长金刚石薄膜 |
| 中文摘要 | 本文研究了在ＨＦ—ＣＶＤ法中，衬底温度Ｔｓ对ＰＥＴＥＯＳ（等离子体增强正硅酸乙酯）氧化硅—硅衬底上选择性生长金刚石薄膜的影响。结果表明：Ｔｓ变化影响ＰＥＴＥＯＳ氧化硅掩蔽层区域和硅表面金刚石晶粒成核密度。Ｔｓ较低时（７５０—８２０℃），ＰＥＴＥＯＳ氧化硅区域成核密度远小于裸露硅表面；随Ｔｓ升高（＞８２０℃），氧化硅区域成核密度增加很快；当Ｔｓ＞８５０℃时，氧化硅区域成核密度超过硅表面。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105321]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 何奕骅,许春芳,范焕章,等. 用TEOSPECVD氧化硅做掩蔽层选择性生长金刚石薄膜[J]. 华东师范大学学报(自然科学版),1995(04). |
| APA | 何奕骅.,许春芳.,范焕章.,孙卓.,王学军.,...&杨申仲.(1995).用TEOSPECVD氧化硅做掩蔽层选择性生长金刚石薄膜.华东师范大学学报(自然科学版)(04). |
| MLA | 何奕骅,et al."用TEOSPECVD氧化硅做掩蔽层选择性生长金刚石薄膜".华东师范大学学报(自然科学版) .04(1995). |
入库方式： OAI收割
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