用低温光致发光研究Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的杂质和缺陷
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王绍渤 ; 吴瑞娣 ; 薛忠发 |
| 刊名 | 应用科学学报
 |
| 出版日期 | 1984 |
| 期号 | 03 |
| ISSN号 | 0255-8297 |
| 中文摘要 | 我们对N-GaAs和N-InP单晶及外延层在4.2K和77K下测定了光致发光谱,并用C-V法测定了电学参数,确定了未掺GaAs中的受主杂质主要是C和Si.通过室温离子注入Si和退火处理,证明了GaAs中1.403eV光谱峰与Si及砷空位V_(As)有关,结合化学及离子微探针分析结果,对未掺InP晶体光谱曲线研究指出,～1.38eV光谱峰是C受主引起的,而1.08和～1.2eV峰分别与磷空位V_p及铟空位V_(In)有关. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105328]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王绍渤,吴瑞娣,薛忠发. 用低温光致发光研究Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的杂质和缺陷[J]. 应用科学学报,1984(03). |
| APA | 王绍渤,吴瑞娣,&薛忠发.(1984).用低温光致发光研究Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的杂质和缺陷.应用科学学报(03). |
| MLA | 王绍渤,et al."用低温光致发光研究Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的杂质和缺陷".应用科学学报 .03(1984). |
入库方式： OAI收割
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