用离子束技术改善材料电子发射特性的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 柳襄怀 ; 朱宏 ; 郑志宏 ; 刘炎源 ; 吴静贤 |
| 刊名 | 电子学报
 |
| 出版日期 | 1996 |
| 期号 | 02 |
| ISSN号 | 03722112 |
| 中文摘要 | 本文用离子束技术，使铜网的二次电子发射系数降低，场发射性能得到改善，钼网的＂栅发射＂得到抑制。测量并讨论了逸出功变化对电子发射性能的影响，研究表明，离子束技术是改善材料电子发射性能的有效手段。 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105355]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 柳襄怀,朱宏,郑志宏,等. 用离子束技术改善材料电子发射特性的研究[J]. 电子学报,1996(02). |
| APA | 柳襄怀,朱宏,郑志宏,刘炎源,&吴静贤.(1996).用离子束技术改善材料电子发射特性的研究.电子学报(02). |
| MLA | 柳襄怀,et al."用离子束技术改善材料电子发射特性的研究".电子学报 .02(1996). |
入库方式： OAI收割
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