用离子束增强沉积从V_2O_5粉末制备高热电阻温度系数VO_2薄膜
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李金华 ; 袁宁一 ; 陈王丽华 ; 林成鲁 |
| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2002 |
| 期号 | 08 |
| ISSN号 | 1000-3290 |
| 中文摘要 | 采用了一种用离子束增强沉积从V2 O5粉末直接制备VO2 薄膜的新方法 ,将纯度为 99 7%的V2 O5粉末压成溅射靶 ,在用Ar离子束溅射的同时 ,用氩氢混合束对沉积膜作高剂量离子注入 ,使沉积膜中V2 O5的V—O键断裂 ,进而被注入的氢还原 ,退火后获得热电阻温度系数 (TCR)高达 4 %的VO2 薄膜 .高剂量的氩氢混合束注入对薄膜引入应力 ,使薄膜的转换温度降低、电阻 温度曲线斜率变大 ,是薄膜TCR增大的原因 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105358]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李金华,袁宁一,陈王丽华,等. 用离子束增强沉积从V_2O_5粉末制备高热电阻温度系数VO_2薄膜[J]. 物理学报,2002(08). |
| APA | 李金华,袁宁一,陈王丽华,&林成鲁.(2002).用离子束增强沉积从V_2O_5粉末制备高热电阻温度系数VO_2薄膜.物理学报(08). |
| MLA | 李金华,et al."用离子束增强沉积从V_2O_5粉末制备高热电阻温度系数VO_2薄膜".物理学报 .08(2002). |
入库方式： OAI收割
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